[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 96122669.2 | 申请日： | 1996-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1154568A | 公开（公告）日： | 1997-07-16 |
| 发明（设计）人： | 蒂哈德·马克斯;川津善平;早藤纪生 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的是提供在Si衬底上边形成高品质的CaN系列化合物半导体层的半导体器件，构成是具备Si衬底1；在Si衬底1上边形成的、由GaAs或As构成的应力吸收层2；在该应力吸收层2上边形成的由其组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层3；在该缓冲层3上边形成的、其组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层4。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征是具备有：Si衬底(1)；形成于该Si衬底上的，由GaAs构成的应力吸收层；形成于该应力吸收层上边的，由组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层；形成于该缓冲层上边的，组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
