[发明专利]具有高输入/输出连接的半导体集成电路器件无效
| 申请号： | 96123430.X | 申请日： | 1996-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1168537A | 公开（公告）日： | 1997-12-24 |
| 发明（设计）人： | 姜帝凤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种需要高I/O连接的IC器件，其中许多电极压焊区以矩形形式排列用于方形表面装配式封装，拐角电极压焊区移向半导体芯片内部用于减小拐角键合线距离，或者拐角内部引线弯曲并进一步延伸向芯片使拐角键合线的跨度长度较短，从而使得在导线键合和模塑工序过程中避免导线摆动和拐角键合线的短路并且能够提高键合线的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 输入 输出 连接 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，包括：(A)具有有源表面的半导体芯片，其上形成有许多电极压焊区，所述的有源表面具有四个边和在相邻所述边之间界定的四个拐角，许多电极压焊区沿有源表面的四个边按矩形形状排列；(B)引线框，具有管芯底座，用于支撑半导体芯片和电连接到半导体芯片的内部引线，所述的内部引线径向延伸向有源表面的四个边同时离开半导体芯片一定距离；并且(C)在许多电极压焊区和内部引线之间连接有许多键合线，其中位于拐角处的拐角电极压焊区移向半导体芯片内部。
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