[发明专利]表面晶体缺陷的测量方法及装置无效
| 申请号： | 96180218.9 | 申请日： | 1996-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1214116A | 公开（公告）日： | 1999-04-14 |
| 发明（设计）人： | 武田一男;石田英嗣;平岩笃;但马武;渡濑进一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立东京电子株式会社 |
| 主分类号： | G01B11/30 | 分类号： | G01B11/30;G01N21/88 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通过检测晶体内缺陷的散射光进行测量的方法,可以测量试样整个表面上的缺陷尺寸和以小于波长的分辨率测量缺陷的深度。用对试样的侵入深度相差3倍以上的两种波长对试样进行扫描和照射,根据不同波长分别测量来自内部缺陷的散射光,根据长波长的散射光强度导出缺陷尺寸,根据其散射光强度之比导出缺陷深度,并在基片面内分布上显示深度和尺寸。而且,对于根据上述宽区域测量检测的特定缺陷位置,移动摄影机位置进行扫描,用两种波长观察缺陷的形态,从该缺陷的两波长散射光图像数据可同样地导出缺陷的深度和尺寸。根据本发明,可以进行试样整个表面的缺陷尺寸和深度检测,也可以一个缺陷为单位进行尺寸和深度检测。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 晶体缺陷 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
1．一种缺陷测量方法，该方法用光照射试样，通过测量来自晶体缺陷的散射光进行该晶体缺陷的检测，其特征在于下列步骤：照射具有对该试样侵入深度不同的多种波长的光，使该试样或照射光做相对的扫描；按波长分别检测从缺陷产生的多种波长的散射光强度，以及在检测到多种波长中的某特定波长的散射光强度信号(触发信号)大于预定值的信号时，利用比上述触发信号的侵入深度大的波长的散射光强度求出缺陷的尺寸。
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