[发明专利]氮化硅电路板无效
| 申请号： | 96190008.3 | 申请日： | 1996-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1139117C | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 池田和男;小森田裕;佐藤孔俊;小松通泰;水野谷信幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H05K1/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董巍;叶恺东 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属电路板粘接到具有热导率不小于60W/m·K的高导热氮化硅基片上的氮化硅电路板，其中高导热氮化硅基片的厚度Ds和所说金属电路板的厚度DM满足关系式Ds≤2DM。该氮化硅电路板的特征在于：当一负荷作用在支撑在50mm的支撑间隔处的电路板的中心部位直到所说氮化硅基片折断时，电路板的最大挠度不小于0.6mm。该氮化硅电路板的特征在于：对支撑在50mm的支撑间隔处的所说电路板进行抗折断试验，所说电路板的抗折断强度不小于500MPa。用直接键合法、活性金属钎焊法或金属化法将金属电路板或电路层整体地粘接在氮化硅基片上。上述配置的氮化硅基片，能够获得高热导率和极好的热辐射特性，并且能大大提高耐热循环特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电路板 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅电路板，其特征在于，它包括：具有不小于60W/m·K的热导率的高导热氮化硅基片；以及粘接到所说高导热氮化硅基片上的金属电路板，其中所说高导热氮化硅基片的厚度DS和所说金属电路板的厚度DM满足关系式DS≤2DM；其中所说高导热氮化硅基片包含作氧化物的2.0-17.5wt％的稀土元素的氮化硅烧结体，该氮化硅烧结体包含氮化硅晶相和晶界相，并且晶化复合相与整个晶界相的比不小于20％。。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96190008.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
