[发明专利]脉冲离子束辅助淀积无效
| 申请号： | 96190236.1 | 申请日： | 1996-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1163581A | 公开（公告）日： | 1997-10-29 |
| 发明（设计）人： | 里甘·W·斯廷耐特 | 申请（专利权）人： | 桑代公司 |
| 主分类号： | B05C11/00 | 分类号： | B05C11/00;B05B1/32;B05C3/02;B05B3/06;C08F2/46;C23C8/00;C23C14/00;C23C16/00;H05H1/00;H05H1/24 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种用于在基片上淀积薄膜和涂层的高速商业规模的装置。PIBAD脉冲离子束辅助淀积过程不仅允许淀积，而且还充许薄膜和涂层的特殊方式的预淀积处理，这包括退火、熔化和再生长，冲击波处理和高压等离子体再淀积，所有这些都能改变最终产品的机械、粘结和腐蚀特性。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 离子束 辅助 | ||
【主权项】：
1.一种在基片上对一种材料进行脉冲离子束辅助淀积的方法，包括：a)所述材料淀积在基片上，由此产生一个复合结构；和b)通过至少一个离子束脉冲的作用，热处理复合结构。
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