[发明专利]形成晶体性半导体膜的方法无效
| 申请号： | 96190679.0 | 申请日： | 1996-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1089486C | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 宫坂光敏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/786;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在便宜的基板上形成半导体膜，接着，大约在整个半导体膜上施行激光照射等的第1退火工艺，然后，进行由快速热处理构成的第2退火工艺。这样，就不会使基板受大的热应力，而且具有高的生产性并能形成高质量的晶体性半导体膜。由于使本发明适应薄膜晶体管，所以容易制造具有高性能的良好产品。同样适合于太阳能电池，使其能量变换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 晶体 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在基板上形成晶体性半导体膜的方法，其特征在于，具有：在基板上淀积半导体膜的半导体膜淀积工艺，反复进行使该半导体膜的一部分熔融结晶化处理，从而使该半导体膜的实质上整个领域进行结晶的第1退火工艺，以及对该已结晶的半导体膜施行快速热处理的第2退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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