[发明专利]制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极

摘要

本发明涉及一种用于形成基本不含氢的ＤＬＣ层的方法，其中将厚度约为１—１００纳米的ＤＬＣ层沉积在样品基底或场致发射体阵列的整个表面上，随后将其暴露在含氟气体的蚀刻等离子体中，其中在后一步骤中，含在基底中的氢通过与氟的化学蚀刻反应而被去除，其中重复形成该不含氢的ＤＬＣ层的步骤，以得到预定厚度的ＤＬＣ膜。$#!

主权项

1、一种在基体上形成基本上并且均匀地不含氢的DLC膜的方法，该方法包括下列步骤：在该基体上生长含有氢和预定厚度的DLC层；将该DLC膜表面暴露在含氟气体气氛的蚀刻等离子体中，使所述的含有氢的DLC膜基本上并且均匀地不含氢；以及在形成所述的基本上并且均匀地不含氢的DLC层上按顺序重复所述的生长和暴露步骤，以得到预定厚度的DLC膜；其中，该DLC膜的厚度为1-100纳米，该DLC膜被暴露在蚀刻等离子体中1-200秒，并且，该DLC膜采用沉积等离子体通过PECVD方法得以生长。