[发明专利]清洗多层牺牲腐蚀的硅衬底的方法无效
| 申请号： | 96191635.4 | 申请日： | 1996-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1169796A | 公开（公告）日： | 1998-01-07 |
| 发明（设计）人： | 基恩O·沃伦 | 申请（专利权）人： | 利顿系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B44C1/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 袁炳泽 |
| 地址： | 美国加利福尼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过各种腐蚀和键合方法,在硅衬底中形成检测体和至少一个相关的铰接部分,制造加速度计。该法必须在检测体下离子注入和形成氧化物支撑层,把两个互补的检测体和衬底结构整体地键合在一起,然后去掉氧化物支撑层,在硅材料体内只留下由铰接部分支撑的检测体。在键合和深腐蚀方法中,处理晶片,并将晶片锯切成两半,然后将互补的两半接合键合在一起,获得完成的加速度计。在制造复合晶片期间,将晶片安装在离心机中,旋转去除腐蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 多层 牺牲 腐蚀 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成多层牺牲腐蚀硅衬底的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供具有多层隐埋氧化层的硅衬底；腐蚀掉隐埋氧化层；把所述硅衬底悬于旋转夹具上，且距旋转夹具的中心一定距离；使夹具绕所述中心以一旋转速度旋转，以获得预定离心力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
