[发明专利]固定值存储单元装置及其制作方法

摘要

固定值存储单元装置包括很多单个的存储单元，这些存储单元分别包括一个MOS晶体管并且设在平行伸展的行中。其中，相邻的行分别交替地在纵向沟槽（6）的底部和在相邻的纵向沟槽（6）之间伸展并且是相互隔离的。通过自对准工艺步骤，固定值存储单元装置是可在每个存储单元的占用面积为2F2（F最小的结构尺寸）的情况下制作的。$#!

主权项

1.一种固定值存储单元装置，其中，-在半导体衬底(1)中设有很多单个的存储单元，-存储单元分别设在平行伸展的行中，-在半导体衬底(1)的主面(2)内具有纵向沟槽(6)，这些纵向沟槽平行于行伸展，-这些行分别交替地处于相邻的纵向沟槽(6)之间的主面(2)上并处在纵向沟槽(6)的底部，-设有隔离结构(3、10)，相邻的行通过这些隔离结构(3、10)相互隔离，-存储单元分别包括至少一个MOS晶体管(12、11、12)，所述MOS晶体管的源/漏区制作为纵向沟槽底部上相关的掺杂区，在源/漏区之间设置一个带有栅电极的栅极，-字线(11)横向于行伸展，字线(11)分别与沿不同的行设置的MOS晶体管的栅极相连。