[发明专利]半导体激光装置和采用它的光盘设备无效
| 申请号： | 96192893.X | 申请日： | 1996-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1179860A | 公开（公告）日： | 1998-04-22 |
| 发明（设计）人： | 足立秀人;上山智;木户口勋;上野山雄;万浓正也;福久敏哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S3/103 | 分类号： | H01S3/103;H01S3/19;H01S3/025;G11B7/09;G11B7/125;G11B7/135 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体激光装置包含有由n－型GaAS制成的基底(201),活性层(204),和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命,借此即能获得稳定的自持脉动。结果,能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 采用 光盘 设备 | ||
【主权项】：
1.自持脉动式半导体激光装置，包括活性层和夹住此活性层的包覆结构，其中包覆结构包含以1×1018cm-3或较高的浓度的掺杂以杂质的可饱和吸收层；和此可饱和吸收层被设置在离开活性层的位置上。
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