[发明专利]含有多孔硅的电致发光器件无效
| 申请号： | 96193839.0 | 申请日： | 1996-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1185234A | 公开（公告）日： | 1998-06-17 |
| 发明（设计）人： | L·T·康哈姆;T·I·考克斯;A·朗埃;A·J·西蒙斯;R·S·布莱克 | 申请（专利权）人： | 英国国防部 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,陈景峻 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电致发光器件(10)包含靠近体材料硅区(20)的多孔硅区(22),以及铟锡氧化物的顶部电接触(24)和底部的铝电接触(26)。该器件包括用来提供欧姆接触的重掺杂区(28)。多孔硅区(22)由穿过体材料硅的离子注入表面层进行的阳极化来制备。在离子注入和阳极化阶段之间硅保持不被退火。器件(10)在多孔硅区(22)之中有一个整流P－N结。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 多孔 电致发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电致发光器件(10)，可加偏压而产生电致发光，并包括多孔硅区(22)和到多孔硅区的电学连接(24，26，28，20)，其特征在于当器件加偏压至有电流密度小于1.0Am-2的电流流过器件(10)时，电致发光可以探测到。
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