[发明专利]用于密封地封闭基片中腔体的方法

摘要

一种在平面基片中制备密封封闭腔体的方法，该腔体用于场发射单元或类似单元，允许以真空或低压惰性气体来运行该器件。该工艺包括覆盖一开口（１６０），包封该真空或气体的方法，及包括选择一定量的除气材料的方法。使用这种密封封闭腔体的器件实例是具有横向发射极（１００）及一简化阳极结构（７０）的横向发射极场发射器件（１０），该发射极平行于基片（２０）在一简单实施例中，控制电极（１４０）定位在发射极边（１１０）上面的一平面内并且与该边自动对准，该简化结构特别适合于场发射显示阵列，总的制备工艺应用步骤（Ｓ１－Ｓ１８）以产生该器件和阵列，该制备方法的各种实施例允许使用导电的或者是绝缘的基片（２０），允许器件的制备具有各种功能和复杂性，并且允许覆盖一沟槽开口（１６０），该开口通过该发射极和绝缘层腐蚀，因此即密封住该封闭腔体。$＃!

主权项

1．一种在具有一上表面的基片中用于形成抽空内腔的方法，其特征在于，包括步骤：(a)在该基片的所述上表面中提供一第一开口，所述开口具有一第一预定深度和一预定容积，以形成一主腔体；(b)提供一第二开口，与在步骤(a)中所提供的所述第一开口相连接，所述第二开口具有第二预定深度；(c)对所述第一和第二开口均临时性地填充第一牺牲材料；(d)将所述第一牺牲材料平面化以形成一平面表面；(e)将第二材料布置在该基片的所述上表面及所述平面表面上以形成腔体的顶；(f)仅仅在所述第二开口上面贯通所述腔体的顶而提供一第三开口；(g)通过所述第三开口从所述腔体的顶的下方去除所述第一牺牲材料以形成一腔体；(h)抽空在步骤(g)中形成的腔体；(i)引入除气材料至所述第三开口中；和(j)然后立即引入第三材料至所述第二和第三开口中，同时堵住第三开口，由此使所述第三材料包封住第三开口周围的所述第二材料，因此而封住所述抽空腔体。