[发明专利]电可擦除可编程的、非易失的存储单元无效
| 申请号： | 96194823.X | 申请日： | 1996-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1187907A | 公开（公告）日： | 1998-07-15 |
| 发明（设计）人： | G·滕佩尔;J·温纳尔 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;G11C16/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,萧掬昌 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电可擦除可编程的、非易失的存储单元是由一个通过源—沟道—漏结形成的MOS晶体管构成的,其中,在一个第一导电类型的半导体衬底(1)中,包含具有与第一导电类型相反极性的第二导电类型的一个漏区(2)和一个源区(3),该晶体管也包含一个处在悬浮电位的栅极(4),该栅极(4)通过隧道氧化物(5),对漏区电绝缘,并通过栅氧化物(5、10)对位于漏区(2)和源区(3)之间的沟道区(9)电绝缘,并经过源—沟道—漏方向至少在沟道区(9)的一部分和漏区(2)的一部分上伸展,以及包含一个控制极(7),该控制极(7)通过耦合氧化物(8)对栅极(4)电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除 可编程 非易失 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.电可擦除可编程的、非易失的存储单元，仅由一个通过源-沟道-漏结形成的MOS晶体管构成，-其中，在一个第一导电类型的半导体衬底(1)中，构成具有与第一导电类型的极性相反的极性的第二导电类型的一个漏区(2)和一个源区(3)；-具有一个处于悬浮电位的栅极(4)，该栅极(4)通过隧道氧化物(5)对漏区(2)电绝缘，并通过一个栅氧化物(5、10)对位于漏区(2)和源区(3)之间的沟道区(9)电绝缘，以及沿源沟道-漏方向至少在沟道区(9)的一部分和漏区(2)的一部分上伸展，并且-具有一个控制极(7)，该控制极(7)通过耦合氧化物(8)对栅极(4)电绝缘，其特征在于，-为了对存储单元进行编程，一个高的负电压加到控制极(7)上，供电电压加到漏极(D)上，并且零V加到源极(S)上，并且-为了对存储单元进行擦除，一个高的正电压加到控制极(7)上，一个负电压加到源极(S)上，并且漏极(D)是不连接的。
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