[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 96194858.2 | 申请日： | 1996-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1098534C | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 宇佐美光雄;坪崎邦宏;西邦彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/306;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用包含导电颗粒(406)的有机粘接剂层(409)把半导体芯片(105’)和基片(102)粘结在一起，通过导电颗粒(406)将压焊块(405)和电极(412)相互电连接在一起。通过使附着在带(107)上的半导体晶片(105)与刻蚀剂相接触形成该半导体芯片(105’)，与刻蚀剂相接触的同时在半导体晶片的面内方向高速旋转该半导体晶片(105)或使该半导体晶片(105)作横向往复运动，均匀刻蚀该半导体晶片(105)，从而减薄其厚度并把减薄后的晶片切割开。用加热头(106)热压分割开的薄芯片(105’)，使其粘结到基片(102)。用这种方法可以低成本稳定制造薄半导体芯片，并把它粘结到基片上，不使其破碎，这样得到的半导体器件不大会由于来自外界的挠曲应力而破损。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备其上形成有多个半导体元件的半导体晶片；用第1基片覆盖所述半导体晶片；通过用刻蚀液接触所述半导体晶片的背面并沿所述半导体晶片的背面相对高速移动刻蚀液和所述半导体晶片来减薄半导体晶片；完全切割所述半导体晶片将所述半导体晶片分割成多个芯片；以及将所述芯片固定于第2基片，所述芯片与所述第2基片相对的表面是置有所述半导体元件的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
