[发明专利]单片线性光耦合器的制造方法无效
| 申请号： | 96195015.3 | 申请日： | 1996-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1097850C | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 戴维·惠特尼 | 申请（专利权）人： | 西门子微电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L31/12;H01L31/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种提供线性度提高的光耦合器的单片结构(100)的制造方法。该方法包括在单个芯片上与LED(190)一起形成输出信号光电二极管(141、142)和反馈控制信号光电二极管(151、152)。这些光电二极管(141、142、151、152)的结构和相对于LED(190)的位置设置为能补偿从LED(190)接收的光中的任何不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 线性 耦合器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造单片半导体结构的方法，包括步骤，(a)把多个沟道蚀刻到n型硅晶片中；(b)把n型材料扩散到所述晶片中以形成N+层；其特征在于，该方法还包括以下步骤：(c)在所述N+层上形成第一氧化物层；(d)将硅材料沉积在该中间结构上以填充所述各沟道并提供机械稳定性；(e)从底部磨光所述硅晶片以暴露所述N+层的各部分；(f)使用以电介质绝缘的槽形成多个P+区域，以覆盖所述N+层的所述各暴露的部分，并形成具有负极和正极的至少一光电二极管；(g)在有所述各P+区域的一侧的结构上添加第二氧化物层；以及(h)在所述第二氧化层上添加基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
