[发明专利]单片线性光耦合器无效
申请号: | 96195016.1 | 申请日: | 1996-03-19 |
公开(公告)号: | CN1099137C | 公开(公告)日: | 2003-01-15 |
发明(设计)人: | 戴维·惠特尼 | 申请(专利权)人: | 西门子微电子公司 |
主分类号: | H01L31/173 | 分类号: | H01L31/173 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种单片光耦合器,它具有发光二极管,用于发射光线;第一光电二极管,用于根据它感测的光产生电流;第二光电二极管,用于根据它感测的光产生电流;以及绝缘体,用于使所述发光二极管与所述第一光电二极管电绝缘。所述绝缘体对所述发光二极管发出的光基本透明。所述第二光电二极管围绕所述发光二极管,并且所述第一光电二极管围绕所述第二光电二极管,使得由发光二极管发出的光的各方向不均匀性得到补偿。 | ||
搜索关键词: | 单片 线性 耦合器 | ||
【主权项】:
1.一种单片线形光耦合器,包括:(a)发光二极管,用于发射光线;(b)与所述发光二极管在同一单片上形成的第一光电二极管,用于根据其感测的光产生电流;(c)与所述发光二极管在同一单片上形成的第二光电二极管,用于根据其感测的光产生电流;以及(d)绝缘体,用于使所述发光二极管与所述第一光电二极管电绝缘,所述绝缘体对于由所述发光二极管发射的光透明,其特征在于所述第二光电二极管围绕所述发光二极管,并且所述第一光电二极管围绕所述第二光电二极管,使得由所述发光二极管发出的光的各方向不均匀性得到补偿。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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