[发明专利]一种多蕊超导复合元件无效

专利信息
申请号: 96195325.X 申请日: 1996-05-17
公开(公告)号: CN1096935C 公开(公告)日: 2002-12-25
发明(设计)人: 格雷戈里·L·斯尼特凯勒;小吉尔伯特·N·赖利;亚历克西斯·P·马洛泽莫夫;克雷格·J·克里斯托弗森 申请(专利权)人: 美国超导体公司
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;H01B12/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 巫肖南
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供的多蕊超导复合元件(100)含多个基本电去耦区域(106,108,110,112,114,116),每个区域包括1个或多个由期望超导氧化物构成的精细、优选扭曲了的超导丝(130,132,134)。在一个较好实施方案中,复合元件(100)包括一个由贵金属构成的基体(104),包绕基体(104)的一个导电包衣层(102)、多个含有绝缘材料的超导丝去耦层(118,120,122,124,126,128,136),超导丝去耦层被安置在基体(104)内把其分成多个基本电去耦区域(106,108,110,112,114,116);多个包含有期望超导氧化物的超导丝(130,132,134),每根超导丝被安放在基体内,被基体(104)所包裹并因此达到与去耦层(118,120,122,124,126,128,136)化学分离之目的。每一电去耦区域(106,108,110,112,114,116)至少包含一根超导丝(130,132,134)。本发明提供的多蕊元件(100)表现出较同类现存材料明显优越的高直流性能特性以及交流性能,同时提供了元件(100)的生产方法及其生产过程中所需的中间体。
搜索关键词: 一种 超导 复合 元件
【主权项】:
1.一种多蕊超导复合元件,包括多个基本电去耦区域和至少一个含绝缘材料的超导丝去耦层;每个区域包含基体和至少一个由期望超导氧化物构成的精细超导丝,超导丝去耦层分布于元件中,达到区域的基本电去耦;所述绝缘材料的电阻率至少比所述基体的电阻率高10倍。
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