[发明专利]生产碳化硅单晶的方法无效
| 申请号： | 96195700.X | 申请日： | 1996-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1085746C | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | 勒内·斯坦;罗兰·鲁普;约翰尼斯·沃尔科 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00;C30B7/10;C01B31/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种生产SiC立体单晶的新方法。在高的超压下将SiC粉末或者其它原料溶解在一种溶剂中，并在一个晶核上生长。#! | ||
| 搜索关键词： | 生产 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
1.生产碳化硅单晶的方法，其中a)在一个耐压容器中装入一种溶剂、固体形式的原料和至少一个晶核，b)在容器中产生一个超过105Pa的压力，该压力使得至少一种原料至少部分地溶解在溶剂中，c)其中要这样选择溶剂和原料，使得由原料和溶剂形成的溶液既含有硅又含有碳，和d)由溶液在至少一个晶核上生长成为一个碳化硅单晶；其中，使用碳化硅为固体原料且选择含有水的溶剂作为溶剂。
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