[发明专利]基片定位装置在审
| 申请号： | 96196699.8 | 申请日： | 1996-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1195378A | 公开（公告）日： | 1998-10-07 |
| 发明（设计）人： | M·R·哈姆斯;R·J·福斯;J·L·特赖斯;T·D·尼文 | 申请（专利权）人： | 美国3M公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C23C14/54;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种定位装置,它包括一第一板(12);一在将材料淀积于基片(22)上的过程中支承基片的第二板(14),基片支承于该第二板与第一板相对的一侧上;多个设置于第一板与第二板之间的热电装置(30),这些热电装置同时与第一板和第二板保持热联系;以及一控制各热电装置在材料淀积于基片上的过程中产生足以基本保持所需基片温度的热能的装置,其中,一部分热能通过第二板传递到基片,一部分热能通过第一板传递离开热电装置。 | ||
| 搜索关键词： | 定位 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在将材料淀积于基片上的过程中使用的定位装置，该定位装置包括：一第一板；一在将材料淀积于基片上的过程中支承基片的第二板，基片支承于该第二板与第一板相对的一侧上；多个设置于第一板与第二板之间的热电装置，这些热电装置同时与第一板和第二板保持热联系；以及一控制各热电装置在材料淀积于基片上的过程中产生足以基本保持所需基片温度的热能的装置，其中，一部分热能通过第二板传递到基片，一部分热能通过第一板传递离开热电装置。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
