[发明专利]通用的发送器装置无效
| 申请号： | 96196951.2 | 申请日： | 1996-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1099162C | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | M·赫堡 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,傅康 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种能够以二进制电信号的形式向接收器装置发送数字信息的发送器装置。把N-MOS晶体管及P-MOS晶体管成对排列起来。每一对包括一个N-MOS晶体管及一个P-MOS晶体管。设置在一对中的N-MOS晶体管的N-沟道与设置在同一对中的P-MOS晶体管的P-沟道并联连接，借此，实现宽广的信令电压范围。 | ||
| 搜索关键词： | 通用 发送 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用来以二进制电信号的形式向接收器装置发送数字信息的发送器装置，所述发送器装置包括N-MOS晶体管(7、8、11、12)，每一个N-MOS晶体管具有N-沟道，及P-MOS晶体管(9、10、13、14)，每一个P-MOS晶体管具有P-沟道，其中所述发送器装置包括晶体管对(7、13；8、14；9、11；10、12)，每一对所述晶体管对又包括所述N-MOS晶体管之一及所述P-MOS晶体管之一；在一对中所包括的N-MOS晶体管的所述N-沟道与在同一对中所包括的P-MOS晶体管的所述P-沟道并联连接；在第一工作方式下，所述N-MOS晶体管是导通的；在第二工作方式下，所述P-MOS晶体管是导通的；由具有互补值的信号控制在所述对中所包括的所述N-MOS晶体管的栅端流及在同一对中所包括的所述P-MOS晶体管的栅极端。
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