[实用新型]高速高压双极晶体管无效
| 申请号： | 96208688.6 | 申请日： | 1996-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN2247872Y | 公开（公告）日： | 1997-02-19 |
| 发明（设计）人： | 亢宝位;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高速高压双极晶体管，是具有新型横向结构的栅辅助晶体管(GAT)。在芯片平面上看，其基区的电极引出区是与栅区有重叠或部分重叠的许多孤立区域，这些孤立区域分布成列，每列中的各个引出区又相互隔开；同时，发射区包围在各个基区电极引出区的周围，呈网状分布。该结构减少了原有GAT基区电极引出区的面积，增大了发射区有效面积和周长，从而显著地提高了GAT单位面积平均电流容量，降低了GAT管芯的制造成本，可使GAT实现产品化和商品化。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 高压 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种高速高压栅辅助晶体管，包含发射区(6)、基区(1)、栅区(2)和集电区(5)，栅区由基区延伸入集电区中并具有与基区相同的半导体型号，其特征在于：在芯片平面上，基区电极引出区(10)是与栅区(5，17)有重叠的许多孤立区域，这些孤立区域分布成列，每列中的各个引出区又相互隔开；同时，发射区(11)包围在各个基区电极引出区的周围，呈网状分布，且其内边界(16)与基区电极引出区之间具有间隔。
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