[实用新型]掉电保护存储器无效
申请号: | 96209364.5 | 申请日: | 1996-05-16 |
公开(公告)号: | CN2251186Y | 公开(公告)日: | 1997-04-02 |
发明(设计)人: | 成修治 | 申请(专利权)人: | 成修治 |
主分类号: | G11C14/00 | 分类号: | G11C14/00 |
代理公司: | 北京万科园专利事务所 | 代理人: | 张亚军,刘朝华 |
地址: | 100029 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种掉电保护存储器,它是由电压监视及RC延时电路、电压切换开关和SRAM芯片组成。在SRAM芯片的CS、WR端的信号线中分别串接两个逻辑门电路,所述逻辑门电路受电压监视电路及RC延时电路控制,在Vee小于4.3时,处于非导通状态,在Vee上升到4.3V时,经延时后,使逻辑门电路导通。电压切换开关在Vcc电压降到3V时,切断外界电源,接通后备电池。本装置具有数据存储量大,易对程序进行修改,使用方便,数据不丢失等优点。 | ||
搜索关键词: | 掉电 保护 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种掉电保护存储器,它是由电压监视电路、RC延时电路、电压切换开关和SRAM芯片组成,其特征在于:在SRAM芯片的CS、WR端的信号线中分别串接两个逻辑门电路,所述两个逻辑门电路的控制端与上述电压监视及RC延时电路的输出端相连接,所述电压监视及RC延时电路的输入端接Vcc+5V端,电压监视器在Vcc小于4.3V时,输出低电平,上述逻辑门电路处于非导通状态;在Vcc上升到4.3V时,延时100ms后,输出高电平,逻辑门电路导通。
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