[实用新型]低噪声光电晶体阵列器件无效
| 申请号： | 96218553.1 | 申请日： | 1996-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN2281001Y | 公开（公告）日： | 1998-05-06 |
| 发明（设计）人： | 高振宇 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐娴 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的低噪声光电晶体阵列器件为一种可抑制两光电晶体间的光扩散电流所所导致噪声干扰的晶体器件。其主要是在该晶体的任两光电晶体间设一阻隔层,使之阻绝光扩散电流。在个别受光区边框上增设一道具反射效果的物质,进而获至高精度受光讯号的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 光电 晶体 阵列 器件 | ||
【主权项】：
1、一种低噪声光电晶体阵列器件，其特征在于：于光电晶体阵列中，任相邻光电晶体的受光区间设有一藉以阻隔光扩散电流流通的阻绝层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
