[实用新型]透明导电膜平面磁控溅射靶板无效

专利信息
申请号: 96220998.8 申请日: 1996-08-27
公开(公告)号: CN2280717Y 公开(公告)日: 1998-05-06
发明(设计)人: 庄孝忠;李春先;何巍;叶云;郭冰;李毅;周卫华 申请(专利权)人: 深圳市创益科技发展有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 深圳市专利服务中心 代理人: 张艺影
地址: 518029 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种透明导电膜平面磁控溅射靶板,特别适合用于溅射镀覆氧化铟锡透明导电薄膜。由ITO陶瓷块通过连接层2与金属背板3连接,形成ITO陶瓷层1,在ITO陶瓷层1的接合面缝隙处有一绝缘耐高温层7;连接层2是由过渡层4、保护层5及焊接层6所组成,且过渡层4由绝缘耐高温层7和铟锡合金层8所组成并位于ITO陶瓷层1接合面上。本实用新型所产生的积极效果显著,获得了性能可靠使用寿命长地用于ITO导电膜生产的溅射靶板。
搜索关键词: 透明 导电 平面 磁控溅射
【主权项】:
1.一种透明导电膜平面磁控溅射靶板,由陶瓷层、连接层及金属背板所组成,其特征是:所述陶瓷层是由ITO陶瓷块通过连接层(2)与金属背板(3)连接,且形成ITO陶瓷层(1),在ITO陶瓷层(1)的接合面缝隙处有一绝缘耐高温层(7):所述连接层(2)是由过渡层(4)、保护层(5)及焊接层(6)组成.且由绝缘耐高温层(7)和铟锡合金层(8)构成ITO陶瓷层(1)接合面上的过渡层(4)。
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