[实用新型]高性能场致发射阵列摄像管无效
申请号: | 96231563.X | 申请日: | 1996-04-03 |
公开(公告)号: | CN2253051Y | 公开(公告)日: | 1997-04-23 |
发明(设计)人: | 王保平;李晓华;郑姚生 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01J31/42 |
代理公司: | 东南大学专利事务所 | 代理人: | 楼高潮,魏学成 |
地址: | 210018*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 高性能场致发射阵列摄像管采用场致发射阵列为阴极发射源,靶面装置由靶面、透明导电膜和玻璃构成,阴极与靶面装置间设有绝缘体支撑的多孔状场网,阴极发射体为金属锥体、半导体锥体或金刚石薄膜,可采用双门极结构或二极管结构,电子束扫描采用矩阵选址技术,既具有分辨率和灵敏度高、噪声和成本低、工作温度范围宽的特点,又有功耗低、体积小、重量轻、抗振性好、抗静电和抗辐射能力强、响应速度快等优点。 | ||
搜索关键词: | 性能 发射 阵列 摄像管 | ||
【主权项】:
1、一种高性能场致发射阵列摄像管,由基底、阴极和靶面装置组成,其特征在于阴极采用场致发射阴极结构,靶面装置由靶面、透明导电膜和玻璃构成,阴极与靶面装置之间设有由绝缘体支撑的多孔状场网。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的