[发明专利]场效应晶体管放大器无效
申请号: | 97100635.0 | 申请日: | 1997-03-12 |
公开(公告)号: | CN1075685C | 公开(公告)日: | 2001-11-28 |
发明(设计)人: | 望月拓志 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H03F3/193 | 分类号: | H03F3/193;H03F3/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰,朱进桂 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明为一使用场效应晶体管作为放大器件的一场效应晶体管放大器,其包括一同轴介质谐振装置,该同轴介质谐振装置被接在放大器的输入端与放大器件的输入端之间,并具有λ/2电学长度及比从放大器的输入端到放大器件的输入端的输入端阻抗低的一特性阻抗。$#! | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 放大器 | ||
【主权项】:
1.一种场效应晶体管放大器,包含:(a)一个由三端引线环形器组成的隔离器,并在所述隔离器的中心设置一铁氧体;(b)一个由在所述隔离器一端的引线形成的输入端;(c)一个虚设终端连接到在所述隔离器的其它端形成的虚设连接端;(d)一个场效应晶体管作为一放大器件;(e)一个λ/2波长的同轴介质谐振装置,所述的谐振装置设置在所述隔离器的中心导体的铁氧体的一端面与所述放大装置的输入端中间,所述的谐振装置具有的特性阻抗小于从所述放大器的所述输入端到放大装置的所述输入端的输入侧的阻抗,并具有λ/2波长的介质长度,所述的谐振装置由高介质部件构成,该部件具有一位于部件端面的中心部位,并形成具有一定长度的柱面形状的长空间,将所述介质部件的外表面用导电材料金属化形成一外导体,以及将所述介质部件的内表面用导电材料金属化形成一内导体;(f)一引线电感连接到所述放大装置的输入端,其中,通过改变所述λ/2波长的同轴介质谐振装置的外径与内径之比使所述放大器的阻抗与最佳噪声相匹配。
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