[发明专利]工件的离子束处理方法和离子注入机无效
| 申请号： | 97102061.2 | 申请日： | 1997-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1123051C | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | Ｖ·Ｍ·本维尼斯特;陈炯;Ｔ·Ｎ·霍斯基;Ｗ·Ｅ·雷诺 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯计术公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董巍,邹光新 |
| 地址： | 美国马萨*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用来使离子束维持在沿从离子源(12)到其上有工件被离子束处理的离子注入台(16)的束路径(14)的方法和装置。中和器(44)安装在离子注入台的上游，并向离子束中注入中和电子。在束中和器位置的上游建立磁场来阻止中和电子向上游运动。所揭示的为建立阻止电子运动的磁场的技术是使用分开放置的第一和第二永久磁体(M1，M2)。 | ||
| 搜索关键词： | 工件 离子束 处理 方法 离子 注入 | ||
【主权项】：
1.一种通过控制离子束中中和电子的运动，把离子束(14)从离子源(12)导向注入台(16)，以对工件进行离子束处理的方法；该方法包含以下步骤：a)把离子束(14)沿束传输路径从源(12)导向注入台(16)，放置目标工件在注入台(16)上以进行离子束处理；b)在离子束轰击目标工件之前，在中和位置(44)向离子束中注入中和电子；以及c)通过在离子到达中和位置之前，在接近离子束的点上放置磁性排斥器(110，140)而产生磁场，以阻止中和电子离开中和位置(44)向上游运动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾克塞利斯计术公司，未经艾克塞利斯计术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97102061.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
