[发明专利]电话线接口保护部件无效
| 申请号： | 97102266.6 | 申请日： | 1997-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1098602C | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·伯尼埃 | 申请（专利权）人： | SGS－汤姆森微电子公司 |
| 主分类号： | H04Q1/18 | 分类号： | H04Q1/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于对线路上易产生的过流进行保护的单片部件，该线路串接着一个检测电阻，该单片部件包括一个与一个雪崩二极管相连的第一阴极控制极可控硅和一个控制极触发型或前向穿通型阳极控制极可控硅，其穿通电压基本上等于雪崩二极管的雪崩电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电话线 接口 保护 部件 | ||
【主权项】：
1.一种对在线路(AB)上易于发生的过流进行保护的单片部件，线路(AB)与一个检测电阻(Rd)串联，所述部件形成在第一导电型的衬底(N)中，该衬底(N)有一个上表面和下表面，所述部件包括：与所述电阻(Rd)的端(A，B)相连的在上表面上的第一(M1-1，M1-2)和第二(M3，M4)金属化层和与参考电压(G)相连的在下表面上的第三金属化层(M2)；在第一和第三金属化层间首尾相连的第一阴极控制极可控硅(Th1)和第二阳极控制极可控硅(Th2)，第二金属化层相应于所述可控硅的控制极；一个在第二和第三金属化层之间的雪崩二极管(Z1)，所述二极管的连接使其雪崩所引起第一可控硅前向导通；其中所述第二可控硅(Th2)是控制极触发型或前向穿通型，其穿通电压基本上等于所述雪崩二极管的雪崩电压，而且其中的第一可控硅被第二导电型的扩散壁(11)绝缘。
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