[发明专利]反熔断元件及其制造方法无效
| 申请号： | 97103004.9 | 申请日： | 1997-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1173736A | 公开（公告）日： | 1998-02-18 |
| 发明（设计）人： | 山冈徹;樱井浩司;本田浩嗣;汤浅宽 | 申请（专利权）人： | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明使得反熔断元件绝缘击穿耐压容易控制,并抑制其随机误差。其目的在于使电流电压特性能进行极性控制,抑制漏电流,防止导通状态时可靠性变差。本发明因此具有反熔断层为均匀厚度的平整形状,由非晶体硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜组成的复合膜构成,反熔断层的电极层为氮化钛,其膜厚设定得比熔线进入到电极层的深度厚,控制电极间分隔绝缘膜的膜厚和反熔断区开口的斜坡,设定为上部电极层的阶跃覆盖率超过80%。 | ||
| 搜索关键词： | 熔断 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反熔断元件，其特征在于包括：绝缘膜上形成的第一配线层；所述第一配线层的平整区域上形成的平整的下部电极层；所述下部电极层上形成的平整的反熔断层；所述反熔断层上形成的上部电极层；与所述上部电极层连接的第二配线层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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