[发明专利]生产量子分裂磷光体和新的组合物的方法无效
| 申请号： | 97103395.1 | 申请日： | 1997-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1096494C | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | Ａ·Ｍ·斯里瓦斯塔瓦;Ｗ·Ｗ·比尔斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C09K11/77 | 分类号： | C09K11/77 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张元忠,田舍人 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 量子分裂磷光体，它具有被三价镨离子活化的主晶格，其中保持了三价镨离子-配体键的共价键性，使三价镨离子的4f5d能带水平的重力中心位于1S0水平之上，主晶格具有大于约5eV的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 量子 分裂 磷光体 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.生产主晶格被三价镨离子活化的量子分裂磷光体的方法，该方法由下列几步构成：使主晶格中的三价镨离子4f5d能带的能量位置在1S0能态以上，使三价镨离子的4f5d能带和1S0能态低于主晶格的传导能带，选择主晶格中三价镨离子的对称位置，以产生量子分裂磷光体，所述主晶格是氧化物主晶格或卤化物主晶格或卤氧化物主晶格，所述氧化物的主晶格中三价镨离子到氧的平均键距大于约2.561埃，所述卤化物主晶格中三价镨离子到卤化物的平均键距大于约2.28埃，所述主晶格具有大于5eV的带隙。
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