[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法无效
| 申请号： | 97103426.5 | 申请日： | 1997-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1176493A | 公开（公告）日： | 1998-03-18 |
| 发明（设计）人： | 山冈徹;本田浩嗣;樱井浩司 | 申请（专利权）人： | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/36;H01L29/772;H01L21/8232;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路装置及其制造方法,其特征在于,在设有P阱区和分离元件用硅氧化膜的P型电阻率为10～20Ωcm的单晶硅衬底上,分别构成绝缘栅型场效应晶体管A及B的各自的沟道掺杂区,一沟道掺杂区的杂质浓度为另一沟道掺杂区杂质浓度的2倍至10倍。因此。能独立控制两种绝缘栅型场效应晶体管的特性,抑制了高耐压CMOS晶体管电特性的离散性,并能缩小该晶体管的占有面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，在将多种场效应晶体管集成化的半导体集成电路装置中，对各种场效应晶体管的沟道渗杂区掺有不同浓度的杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
