[发明专利]三维微结构光寻址电位传感器无效
| 申请号： | 97103670.5 | 申请日： | 1997-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1076099C | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 韩泾鸿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 三维微结构光寻址电位传感器，包括在硅单晶片６上的下电极１１１，在下电极１１上有绝缘层１２，敏感膜１３复合在绝缘层上，发光器件５放置在下电极的下部，偏置电压１与参比电极２相连，参比电极２与硅单晶片６构成微型腔体。本发明结构合理，参比电极与测量池一体化、微型化，这样既可以节约待测溶液，又可以与ＩＣ工艺兼容，特别容易集成化和多功能化。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 微结构 寻址 电位 传感器 | ||
【主权项】：
1、三维微结构光寻址电位传感器，包括在硅单晶片(6)上的下电极(11)，在下电极(11)上有绝缘层(12)，敏感膜(13)复合在绝缘层上，发光器件(5)放置在下电极的下部，偏置电压(1)与参比电极(2)相连，其特征是参比电极(2)与硅单晶片(6)平行并构成微型腔体，在所述微型腔体内流过待测电解质溶液或生物溶液。
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