[发明专利]微型半导体桥式整流器及其制法无效
| 申请号： | 97104255.1 | 申请日： | 1997-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1197989A | 公开（公告）日： | 1998-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘天明 | 申请（专利权）人： | 强茂股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/16 | 分类号： | H01G9/16;H01G13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 微型半导体桥式整流器包括一共N型的双二极体晶粒以及一共P型的双二极体晶粒,其中,共N型晶粒的一P型区与共P型晶粒的一相对应N型区系连接至一第一组导线架的一端子电极,共N型晶粒的另一P型区则与共P型晶粒的另一N型区连接至第一组导线架的另一端子电极,且共N型晶粒的N型区与共P型晶粒的P型区则分别连接至一第二组导线架的两端子电极。以及制造该微型半导体桥式整流器的方法包括四个步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 半导体 整流器 及其 制法 | ||
【主权项】：
1、一种制造一微型半导体桥式整流器的方法，其特征在于包括如下步骤：(a)制备一共N型双二极体晶粒，(b)制备一共P型双二极体晶粒，(c)将该共N型晶粒的一P型区与共P型晶粒的一相对应N型区焊接于一第一组导线架的一端子电极上，并使该共N型晶粒之另一P型区与共P型晶粒之另一N型区焊接于该导线架之另一端子电极上，以及(d)将该共N型晶粒的N型区与该共P型晶粒的P型区分别焊接至一第二组导线架之两端子电极上。
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