[发明专利]免蒸镀的硬式带式自动焊接封装方法无效
申请号: | 97104930.0 | 申请日: | 1997-03-26 |
公开(公告)号: | CN1194455A | 公开(公告)日: | 1998-09-30 |
发明(设计)人: | 林定皓 | 申请(专利权)人: | 华通电脑股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种免蒸镀的硬式TAB封装方法,主要是以一覆盖溶剂型干膜、覆盖水溶性干膜/半蚀刻、选择性镀镍金、去除溶剂型干膜/镀镍金、去除水溶性干膜/压合绝缘膜/蚀刻绝缘膜、补胶/镀锡球、蚀铜片/剥镍、除胶/加硬板、植芯片、灌胶等步骤组成,其中,通过对底部支撑铜片进行半蚀刻与选择性镀镍金的步骤后,即形成供芯片连结的电镀凸点,可改善传统溅镀形成凸点的作业缓慢问题,以形成一种新型态的硬式TAB封装方法。 | ||
搜索关键词: | 免蒸镀 硬式 自动 焊接 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种免蒸镀的硬式TAB封装方法,其特征在于:其包括一在铜片上覆盖供界定线路区域的内层干膜的步骤,一在表面再行覆盖另一不同材料以供后续形成电镀凸点的外层干膜的步骤,一在前述内、外两层干膜的贯通至铜片位置进行选择性地电镀形成电镀凸点的步骤,一仅去除外层干膜,而在内层干膜所界定的区域形成电镀线路层的步骤,一去除内层干膜/压合聚醯胺膜/蚀刻聚醯胺膜,而仅在铜片中央位置呈外露的步骤,一在铜片中央以填充胶补满以及于上表面金属区域镀锡球的步骤,一蚀刻去除位在底层的铜片的步骤,一去除填充胶以及于底面外围位置加入硬板的步骤,及依次于悬空的电镀凸点位置进行安装芯片、灌胶的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造