[发明专利]免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法无效
申请号: | 97104998.X | 申请日: | 1997-04-04 |
公开(公告)号: | CN1072396C | 公开(公告)日: | 2001-10-03 |
发明(设计)人: | 林定皓 | 申请(专利权)人: | 华通电脑股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/31 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 张政权 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法,主要是在铜片上经覆盖干膜与半蚀刻步骤,而在铜片上形成作为后续接点使用的凹槽,其次,在凹槽位置形成第一电镀层,然后依序进行去除干膜、覆盖另一干膜与电镀的步骤,以形成由各个凹槽向上凸伸的内部接点,而后对位于铜片中央部位两侧的焊垫区进行电镀、植芯片、引线键合、封胶、蚀刻去除最下方的铜片覆盖绿漆之后,即形成一种可利用前述成型的第一电镀层作为外部接点,而内部无基板的集成电路封装。$#! | ||
搜索关键词: | 免基板 免锡球 阵式 集成电路 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法,其特征在于包括:在铜片上覆盖供形成外部接点的干膜,并对未被干膜覆盖的铜片表面施以略微蚀刻,以形成概略呈圆凹槽的步骤,对该各凹槽部位施以电镀,而形成覆盖在各个凹槽内的圆粒状第一电镀层的步骤,去除前述干膜的步骤,覆盖线路干膜,而对铜片中央部位以及对应于前述第一电镀层的上方电镀形成第二电镀层的步骤,再行覆盖另一干膜,并在形成第二电镀层的铜片中央部位的两侧开口形成焊垫区,使该焊垫区外露的步骤,对该焊垫区进行电镀形成第三电镀层的步骤,去除前述各层干膜的步骤,植入芯片、进行引线键合及封胶的步骤,及蚀刻底面铜片,而使各个第一电镀层的底面外露与一涂覆绿漆的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华通电脑股份有限公司,未经华通电脑股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/97104998.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造