[发明专利]高频用介质陶瓷组成及制备工艺无效
申请号: | 97106760.0 | 申请日: | 1997-12-05 |
公开(公告)号: | CN1218779A | 公开(公告)日: | 1999-06-09 |
发明(设计)人: | 姚尧;赵梅瑜;王依琳;吴文骏;金行运;周恩济 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453 |
代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 潘振苏 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种高频用Nb2O5-ZnO-Bi2O3三元系介质陶瓷材料及制备工艺,本发明提供的新组成区域(mol%)为NbO5/235.0-41.0%,ZnO20.0-25.0mol%,BiO3/238.0-44.0。在制备过程中,作为烧结助剂用低熔点化合物(单独或复合添加)的加入量(wt%)为LiF0.01-3.0,CuO0.01—1.0,V2O50.01—1.0,H3BO30.01—1.0,Pb3O40.01—3.0。作为调节电性能,取代Zn的二价元素为Ba、Sr、Ca,其单独或复合取代加入量(mol%)为Ba0.5—6.0,Sr0.5—6.0,Ca1.0—24.0。本发明提供有关介质陶瓷的烧结温度≤900℃,烧结温度范围较宽,约为60—80℃,并具有较佳的介电性能。 | ||
搜索关键词: | 高频 介质 陶瓷 组成 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种1-100MHz高频用介质陶瓷材料,由Nb2O5-ZnO-Bi2O3三元系组成,其特征在于该组成区域的范围为:NbO5/235.0-41.0mol%,ZnO20.0-25.0mol%,BiO3/238.0-44.0mol%。
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