[发明专利]铁电元件及其制备方法无效
| 申请号： | 97109593.0 | 申请日： | 1997-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1165380A | 公开（公告）日： | 1997-11-19 |
| 发明（设计）人： | 生田目俊秀;铃木孝明;大石知司;高桥研;前田邦裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张元忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种铁电元件，通过使用的钙钛矿结构铁电薄膜，该元件高度集成，且Pr值高，Ec值低。为了制备铁电元件，其结构中夹在电极间的铁电薄膜具有强的自然极化作用和弱矫顽电场，通过用具有不同离子半径的元素作为构成晶格的A位置、B位置和产生极化作用的C位置的元素，使钙钛矿结构铁电薄膜的晶格产生大的畸变。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1一种具有上电极、铁电薄膜和下电极的铁电元件，其中所述铁电薄膜具有长周期结构的屏蔽层。
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