[发明专利]等离子体源无效
| 申请号： | 97110548.0 | 申请日： | 1997-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1169094A | 公开（公告）日： | 1997-12-31 |
| 发明（设计）人： | 河利孝 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 按照本发明，当一高频电源向天线14供电时，便在加工室11产生一准静电感应电场Eps，而且在宽区域内产生高密度等离子体P。并且，由一多相交流倒相器电源给多相交流磁铁17提供交流电流(为几十Hz至几十KHz)，从而在半导体晶片13上产生一水平磁场(磁通量密度B)。由此产生的磁场以与多相交流倒相器电源中设定频率的相应的频率旋转，而且该磁场的旋转导致在半导体晶片13表面上产生一个旋转电场E。在半导体晶片13的表面区域，在垂直方向产生一个电场Ev。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体源，它包括：一个安置加工目标的加工室；用于从该加工室外面在该加工室中产生一感生电场来产生等离子体的等离子体发生器；用于在由该等离子体发生器产生的等离子体中产生一个方向水平于加工目标表面的电场的水平电场发生器；用于控制由该水平电场发生器产生的水平电场的控制器，以控制等离子体中等离子体组成粒子的速度和运动方向。
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