[发明专利]薄膜电阻器的制造方法无效
| 申请号： | 97111136.7 | 申请日： | 1997-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1166061A | 公开（公告）日： | 1997-11-26 |
| 发明（设计）人： | 陈木元;陈泰铭 | 申请（专利权）人： | 国巨股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 谢晋光 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜电阻器的制造方法，先提供绝缘基底，再在其上形成覆盖薄膜电阻层和用烧蚀法除掉其一部分，形成成型薄膜电阻层，用印刷法形成导体引线层，或形成成型导体引线层后，才去掉部分覆盖薄膜电阻层形成成型薄膜电阻层，亦可在形成覆盖薄膜电阻层前后对基底划线，形成相连绝缘基底晶片，并在其上形成成型薄膜电阻层及导体引线层，形成相连薄膜电阻晶片后用物理破裂法从基底分出相连薄膜电阻晶片形成分立薄膜电阻晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电阻器的形成方法，其包括：提供一种绝缘基底(10)；在所说的绝缘基底(10)上利用一种薄膜淀积法来形成一道覆盖薄膜电阻层(12)；利用一种非光蚀刻能量射束烧蚀法除掉所说的覆盖薄膜电阻层(12)的一部份，以便在所说的绝缘基底(10)上形成一道成型薄膜电阻层(12a)；以及利用一种非光蚀刻印刷法在所说的成型薄膜电阻层(12a)上形成一道成型导体引线层(16a)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
