[发明专利]形成半导体器件中芯柱的方法

摘要

本发明公开了一种形成半导体器件中芯柱的方法。使用性质彼此不同的金属，以使金属在接触孔中沿固定方向生长，由此防止由因为金属在接触孔内生长方向导致的密度不同而造成的过腐蚀。利用形成芯柱的全表面腐蚀工艺，可以使在接触孔顶上产生的差锐度最小，从而在随后的金属化工艺期间改善金属的台阶覆盖，增强器件的电特性和可靠性。

主权项

1.一种形成半导体器件中芯柱的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在形成了绝缘层的硅衬底上形成接触孔；在包括所述接触孔的整个结构上形成阻挡金属层，所述阻挡金属层是通过依次淀积钛(Ti)和氮化钛(TiN)形成的；在所述阻挡金属层上形成第一金属层，所述第一金属层由铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)组成的集合形成；在所述第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层由氮化钛(TiN)、钌(Ru)、氧化钌(RuO2)、氮化钨(WN2)组成的集合形成；腐蚀所述第二金属层的一部分，以在所述接触孔侧壁的所述第一金属层上形成第二金属层隔离层；在包括所述第二金属层隔离层的所述第一金属层上形成第三金属层，直到所述接触孔被完全掩埋为止，并且第一和第三金属层由相同的材料形成；以及腐蚀所述第三和第一金属层，以暴露形成于所述绝缘层上的所述阻挡金属层，从而在所述接触孔内形成金属芯柱。