[发明专利]内联式集成非晶硅太阳能电池的制造方法

摘要

一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法,先在玻璃衬度上面的透明导电膜ITO印抗蚀涂层,再用YAG激光刻去沟槽用化学腐蚀法将ITO刻成四个矩形,然后用Plasma气相沉积方法沉积Pin非晶硅层,再用激光刻成沟槽,然后真空蒸发涂铝,并覆盖一层涂层,用激光刻成沟槽,最后用磷酸除掉蚀刻的铝电极和抗蚀剂,由此制成内联式非晶硅太阳能电池。

主权项

1、一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，该工艺方法按下列步骤进行：①、丝网印刷涂覆抗腐蚀涂层首先用丝网印刷等办法在透明导电膜(2)ITO上印上抗腐蚀油墨涂层(8)；②、激光蚀刻用YAG激光将抗腐蚀涂层(8)刻去三个沟槽(5)(图4)，用化学腐蚀法将ITO刻成四个矩形(9)；③、沉积，Pin层，刻槽用SiH4，Plasma气相沉积法沉积PIN非晶硅层(3)，清洗掉抗蚀剂后，用倍频后的TAG激光在非晶硅层(3)上距ITO沟槽(5)0.1-0.2mm处平行地刻4个沟槽(5)；④、真空涂铝，丝网印覆涂层最后在上面用真空蒸发的办法全面蒸发上铝，并用丝网印刷等办法覆盖上一层抗腐蚀涂层(7)，并用YAG激光在抗蚀涂层(7)上距非晶硅层上的沟槽(5)0.1-0.2mm处平行地刻4个沟槽(6)(图7)，沟槽(6)间距B＝0.4mm；⑤、清理用热磷酸钙将裸露的铝腐蚀掉成分裂的铝电极，最后清除掉抗蚀剂，印上背面保护层字符及可焊电极，即可成为成品。