[发明专利]用于形成半导体装置的电容器的方法

摘要

一种用于形成具所需密度与所需形状的半球形硅晶粒层以增大一电容器的储存电极的面积的方法。该方法包括于一供形成半球形硅晶粒的底硅层上形成一薄氧化物膜，以使该等半球形硅晶粒可于指定状况下形成为具有所需的密度与所需的形状，不管底硅层是否掺有杂质离子且不管底硅层的晶体结构如何。

主权项

1.一种用于形成半导体装置的电容器的方法，包括下列步骤：于一半导体基片上形成一整平的绝缘膜，并依据使用一储存电极接触掩模的蚀刻制程而于该绝缘膜内形成一接触孔；于形成该接触孔后所获结构上沉积一用于储存电极的多晶硅层，并依据一使用一储存电极掩模的蚀刻制程而对该多晶硅层加图案，藉此形成一多晶硅层图案；去除存在于该多晶硅层图案上的自然氧化物膜；使用一含所需比例的NH4OH与H2O2与H2O溶液而表面处理该多晶硅层图案，藉此于该多晶硅层图案上形成具一均匀厚度的薄氧化物膜；于该氧化物膜上形成一半球形硅晶粒层；藉由使用储存电极掩模，去除无用的半球形硅晶粒；及于该半球形硅晶粒层上依序形成一电介质膜与一用于板极的多晶硅层。