[发明专利]磁记录介质无效
| 申请号： | 97112789.1 | 申请日： | 1997-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1174370A | 公开（公告）日： | 1998-02-25 |
| 发明（设计）人： | 立花淳一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明旨在由真空蒸发在非磁性基膜上形成的磁薄膜的磁记录介质中能减小噪声,从而能保证数字记录有满意的误差率。根据本发明构成的磁记录介质包括一非磁性基膜及用斜入射蒸发在该非磁性基膜上形成的磁层。在非磁性基膜上生长的柱的平均颗粒尺寸a被设置在10nm≤a≤50nm范围内。值σ/a被设置在σ/a≤0.4范围内,这里σ是该柱的颗粒尺寸分布的离散度值。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，包括：一个非磁性基膜；以及利用斜入射蒸发在所述非磁性基膜上形成的磁层，其中所述非磁性基膜上生长的柱的平均颗粒尺寸a被设置在10nm≤a≤50nm范围内，而且这里的σ/a值设置在σ/a≤0.4范围内，这里σ是所述柱的颗粒尺寸分布的离散度值。
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