[发明专利]半导体晶片热处理设备无效
| 申请号： | 97113067.1 | 申请日： | 1997-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1177830A | 公开（公告）日： | 1998-04-01 |
| 发明（设计）人： | 姜声勋;高永洛;李贞圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/477 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨松龄 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 这里公开了一种制造半导体器件的晶片热处理设备,用以改善随晶片直径增大处理的质量和均匀性。半导体晶片热处理设备包括构成封闭空间的处理室;安装在处理室内的基座,用于固定晶片;安装在基座上的热阻加热器,用于加热基座安装在处理室顶上的灯,用于将处理室内温度升至处理时所需温度;安装在处理室的一侧上的气体注入器,用于向处理室内供应气体;及安装在气体注入器上的气体加热器,用于预热供应到处理室内的气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 热处理 设备 | ||
【主权项】：
1、一种半导体晶片热处理设备，包括：构成封闭空间的处理室；安装在所述处理室内的基座，用于在其上安装晶片；安装在所述基座上的热阻加热器，用于加热所述基座；安装在所述室上部内的灯，用于将所述处理室内温度升至处理所需温度；安装在所述处理室一侧上的气体注入器，用于给所述处理室内供应气体；及安装在所述气体注入器上的气体加热器，用于预热将供给所述处理室内的气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97113067.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
