[发明专利]洗涤半导体晶片的方法无效
申请号: | 97113215.1 | 申请日: | 1997-06-12 |
公开(公告)号: | CN1175085A | 公开(公告)日: | 1998-03-04 |
发明(设计)人: | 岩本嘉夫;佐藤正德 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;C30B33/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马江立 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种方法,用于在半导体晶片抛光之后和在用化学蒸气沉积法在该晶片上沉积外延层之前洗涤该半导体晶片,以便除去外来物质和防止外来物质变大。该方法包括如下步骤用洗涤剂洗涤半导体晶片,除去晶片上的外来物质;用酸溶液浸洗已洗涤的半导体晶片,进一步除去外来物质和中和残留的外来物质。这样可使埋入外延层中的外来物质的数量和粒度减小到最小。 | ||
搜索关键词: | 洗涤 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种洗涤半导体晶片的方法,用于在半导体晶片抛光之后和在用化学蒸气沉积法在该晶片上沉积外延层之前洗涤该晶片,以除去外来物质和防止外来物质变大,该方法包括以下步骤:用洗涤剂洗涤半导体晶片,除去晶片上的外来物质;在一种酸溶液中酸浸洗已洗涤的半导体晶片,进一步除去外来物质并中和残留的外来物质,从而使埋入外延层中的外来物质的数量和粒度减小到最小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造