[发明专利]洗涤半导体晶片的方法无效

专利信息
申请号: 97113215.1 申请日: 1997-06-12
公开(公告)号: CN1175085A 公开(公告)日: 1998-03-04
发明(设计)人: 岩本嘉夫;佐藤正德 申请(专利权)人: MEMC电子材料有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;C30B33/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 马江立
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种方法,用于在半导体晶片抛光之后和在用化学蒸气沉积法在该晶片上沉积外延层之前洗涤该半导体晶片,以便除去外来物质和防止外来物质变大。该方法包括如下步骤用洗涤剂洗涤半导体晶片,除去晶片上的外来物质;用酸溶液浸洗已洗涤的半导体晶片,进一步除去外来物质和中和残留的外来物质。这样可使埋入外延层中的外来物质的数量和粒度减小到最小。
搜索关键词: 洗涤 半导体 晶片 方法
【主权项】:
1.一种洗涤半导体晶片的方法,用于在半导体晶片抛光之后和在用化学蒸气沉积法在该晶片上沉积外延层之前洗涤该晶片,以除去外来物质和防止外来物质变大,该方法包括以下步骤:用洗涤剂洗涤半导体晶片,除去晶片上的外来物质;在一种酸溶液中酸浸洗已洗涤的半导体晶片,进一步除去外来物质并中和残留的外来物质,从而使埋入外延层中的外来物质的数量和粒度减小到最小。
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