[发明专利]与非逻辑非晶硅只读存储器及其制造方法

摘要

一种与非逻辑非晶硅只读存储器结构及其制造方法，其利用“绝缘层上有硅”结构，使本发明的只读存储器建立在一绝缘层之上，以隔离基底与源极／漏极区，避免源极／漏极区与基底之间漏电流的产生，以及避免基底与源极／漏极区之间的接合界面击穿，可提高器件操作电压。且本发明的只读存储器中，其源极／漏极区使用非晶硅为材料取代传统注入式高浓度掺杂源极／漏极结构。

主权项

1．一种与非逻辑非晶硅只读存储器的制造方法，包括下列步骤：a.提供一基底，在该基底上裸露有一第一绝缘层的表面；b.在该第一绝缘层表面形成一非晶硅层；c.对该非晶硅层构图，形成多条沿一第一方向互为平行相隔的扩散区；d.对这些扩散区进行第一类型的离子掺杂，以调整临界电压；e.在这些扩散区两侧形成多个第一间隙壁；f.在这些扩散区与这些第一间隙壁表面形成一第二绝缘层；g.在该第二绝缘层表面形成一第一电导体层；h.对该第一电导体层构图，形成沿一第二方向互为平行相隔的多条栅极区，该第一方向与该第二方向是以一角度相交，与这些栅极区重叠的这些扩散区部分形成多个通道区，而未与这些栅极区重叠的该扩散部分形成多个源极／漏极区；i.在这些栅极区两侧形成第二间隙壁；j.在上述各层表面形成一光致抗蚀剂层，并对该光致抗蚀剂层构图，露出部分这些通道区上方的这些栅极区；k.以第二类型离子对露出的这些栅极区进行离子注入，使注入的该第二类型离子，穿过这些栅极区与该第二绝缘层进入这些通道区，之后去除该光致抗蚀剂层；l.在上述各层表面形成一第三绝缘层；m.对该第三绝缘层构图，在该第三绝缘层中形成多个源极/漏极区接触窗与多个栅极区接触窗，且这些源极/漏极区接触窗露出该源极/漏极区，这些栅极区接触窗露出部分该栅极区；以及n.在这些栅极区接触窗与这些源极/漏极区接触窗中填入一第二电导体层，形成多个栅极区电极与多个源极/漏极区电极。