[发明专利]高电阻负载型静态随机存储器单元及其制造方法

摘要

一种高电阻负载型SRAM单元，包括含有第一多晶硅层和第二多晶硅层的底层，在底层上具有接触孔的第一绝缘膜，形成在第一多晶硅层上并通过接触孔与驱动晶体管连接的第三多晶硅层，在第三多晶硅层和第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，及在第二绝缘膜上形成电源线和高电阻负载元件的第四多晶硅层。利用普通的TFT型单元制造方法，仅改变简单的布图设计就能制造HLR型存储单元，仅改变简单的电路配置就能有选择地制造高速和低速型SRAM。$#!

主权项

1.一种高电阻负载型静态随机存储器单元，是包含高电阻负载元件的静态随机存储器单元，其特征在于它包括：包含第一多晶硅层和第二多晶硅层的底层，其中第一多晶硅层用于在半导体基片的规定区域上形成第一和第二驱动晶体管以及第一和第二存取晶体管的栅极，第二多晶硅层作为连接所述第一和第二驱动晶体管的接地线；第一绝缘膜，形成在所述底层上，并在所述底层规定区域中具有接触孔；第三多晶硅层，形成在所述第一绝缘膜上，并通过所述接触孔连接到所述驱动晶体管；第二绝缘膜，形成在所述第三多晶硅层和所述第一绝缘膜上；第四多晶硅层，形成在所述第二绝缘膜上，通过掺杂浓度区分电源线和高电阻负载元件。