[发明专利]光电元件的制造方法无效
| 申请号： | 97113711.0 | 申请日： | 1997-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1093985C | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 一诺濑博之;长谷部明男;村上勉;新仓谕;上野雪绘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造光电元件的方法，所述方法包括步骤提供光电元件，该光电元件包括下电极层，下电极层包括由Al或铝化合物构成的金属层和透明导电层；光电转换半导体层；和透明电极层，它们以所述次序层叠在基片的导电表面上；把所述光电元件浸入在电解溶液中，以通过电场作用钝化在所述光电元件中存在的短路电流通路缺陷，其中所述电解溶液具有0.03mol/l或更少的氯离子含量。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造光电元件的方法，所述方法包括步骤：提供光电元件，该光电元件包括：(a)下电极层，该下电极层包括：(a-i)铝或铝化合物构成的金属层，和(a-ii)透明导电层；(b)光电转换半导体层；及(c)透明电极层，它们以所列次序层叠在基片上，以及把所述光电元件浸入在电解溶液中，以通过电场作用钝化在所述光电元件中存在的短路电流通路缺陷，其中所述电解溶液具有0.03mol/l或更少的氯离子含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97113711.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
