[发明专利]低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用无效
| 申请号： | 97113737.4 | 申请日： | 1997-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1210155A | 公开（公告）日： | 1999-03-10 |
| 发明（设计）人： | 莫森·巴南;里查德·L·翰森 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 拉制单晶硅的方法和所用的石墨支撑容器。拉制单晶硅时,碱土金属和碱金属特别是钙的浓度严重影响石英容器的不均匀反玻璃化。用低浓度钙的石墨支撑容器,在拉单晶硅时可以使盛装熔硅的透明石英容器不发生严重的不均匀反玻璃化,甚至在将支撑容器加热到较高温度时也具有以上效果,所述钙浓度最好按重量计不超过约1ppm。减少透明石英容器的局部结晶度,可以减少丧失石英容器结构完整性的可能性,从而提高硅晶体的质量,增加零位错生长。 | ||
| 搜索关键词： | 浓度 杂质 石墨 支撑 容器 及其 制造 单晶硅 中的 应用 | ||
【主权项】：
1．一种用直拉法由多晶硅拉制单晶硅锭的方法，该方法包括以下步骤：在具有外表面的石英容器中形成熔硅液池，用有内表面的石墨支撑容器支撑石英容器，支撑容器的至少部分内表面与石英容器的外表面接触，及从熔硅中拉制单晶硅锭，其特征在于，石墨支撑容器中钙的浓度按重量计不超过约1ppm。
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