[发明专利]同步式半导体存储装置

摘要

提供一种可维持2位预取工作的高速性的全页方式工作的SDRAM。在2位预取工作中,SDRAM1000根据从Y地址操作电路68输出的列选择信号YE0－YEk及YO0－YOk,同时选择存储单元阵列存储区A0及A1的2个列并输出数据。与此不同,在全页方式中,根据从Y地址计数电路82输出的内部地址信号,输出来自与从存储单元阵列存储区A0及A1交替地选择的行交叉的全部列的数据。

主权项

1.一种同步式半导体存储装置，这是一种与外部时钟信号同步地取入包含控制信号、地址信号及数据信号的外部信号、或输出数据信号的同步式半导体存储装置，其特征在于：备有包含排列成行列状的多个存储单元的存储单元阵列，上述存储单元阵列包含第1及第2存储单元阵列存储区，该同步式半导体存储装置还备有：根据来自外部的地址信号，选择与上述第1及第2存储单元阵列存储区对应的行的行选择装置；根据来自外部的地址信号，输出与指定的工作方式对应的内部地址信号的内部地址产生装置；对上述第1及第2存储单元阵列存储区中被选择的存储单元分别独立地进行数据的收发的第1及第2数据线；在第1工作方式下，根据内部地址信号同时依次连接在上述第1及第2存储单元阵列存储区中分别选择的规定数的列和上述第1及第2数据线，在第2工作方式下，依次连接与被选择的行交叉的全部列和上述第1及第2数据线的列选择装置；在上述第1工作方式下，同时放大上述第1及第2数据线上的数据，在第2工作方式下进行交替放大的第1及第2读出放大装置；以及在数据读出工作中分别接收并保存上述第1及第2读出放大装置的输出，根据外部时钟信号将读出的数据交替地送给数据输出端的第1及第2锁存装置。